Amplificadores de alta frecuencia en microcircuitos. Generadores de amplificadores de potencia RF de alta frecuencia en líneas de banda

El principal área de aplicación es como parte de equipos de procesamiento al vacío para garantizar procesos estables y controlados para la aplicación de recubrimientos funcionales, limpieza por plasma y grabado en sistemas de deposición al vacío.

GENERADOR AF “IVE-171RFS”

​

El generador RF (RF) "IVE-171RFS" es de un solo canal: tiene un voltaje de salida de alta frecuencia con una frecuencia de 13,56 MHz y está diseñado para alimentar su carga activa con una resistencia de 50 ohmios o a un "alto capacitivo -carga de impedancia" cuando se trabaja en conjunto con un dispositivo de adaptación automática "ASU-171S". El generador de RF cuenta con una interfaz de control externa “RS-485” optoaislada galvánicamente, orientada para su funcionamiento como parte de un equipo automatizado.

DATOS TÉCNICOS BÁSICOS

Potencia de salida RF activa (RF), ajustable*, W.....de 30 a 600

Amplitud de salida Tensión RF (RF), ajustable*, V.....de 10 a 250

Inestabilidad de la potencia de salida RF (RF), %, no más.....3

Inestabilidad del voltaje de salida RF (RF), %, no más.....2

Frecuencia de tensión de salida, MHz....13,56

Tensión de amplitud máxima de protección RF, V.....280

Corriente máxima máxima de protección de arco RF, A....6

Límite de potencia de RF de amplitud reactiva de salida, VA.....1680

Eficiencia (RDC/RAS // RHF/RDC // RHF/RAS), no menos de.....0,85//0,55//0,467

Consumo de energía eléctrica, W.....1300

Tensión de alimentación....220V -15% +10%, 48~62 Hz

Peso, kg.....15

Dimensiones totales, mm.....224 x 133 x 417

​

* sobre carga resistiva equivalente con resistencia de 50 Ohms mediante cable IVE4.171.030

​

El generador de HF “IVE-171RFS” es una fuente de alimentación secundaria con entrada de red sin transformador, que opera a frecuencias de conversión de 45¸55 kHz y 13,56 MHz. El bloque se basa en dos conjuntos de módulos convertidores de transistores, alimentados por: el primero - variable tensión de red desde un filtro de red supresor de ruido monofásico, el segundo, mediante voltaje interno de potencia regulado constante recibido del primer módulo. Ambos se controlan a través de un módulo de interfaz de control y señal. Así, la conversión de la tensión de alimentación de la red en una tensión de salida de alta frecuencia se realiza secuencialmente en dos etapas utilizando dos módulos: el primer módulo convertidor y el segundo módulo amplificador de potencia de alta frecuencia. A partir de la salida de tensión continua controlada 0V÷+60V del primer módulo convertidor de baja tensión, con una potencia de 1,2 kW, se alimenta el módulo amplificador de potencia de alta frecuencia. Su voltaje de salida RF con una amplitud de 0V÷280V y Poder reactivo hasta 1680VA, va al conector de salida del generador de RF. Para consumir corriente casi sinusoidal de la red de suministro, el circuito del módulo convertidor realiza funcionalmente la corrección del factor de potencia. La formación de todos los algoritmos operativos, el procesamiento y la generación de señales de control de señales de datos se lleva a cabo en el módulo de interfaz de control y señales. El voltaje de RF con una frecuencia de 13,56 MHz se genera en un módulo amplificador de potencia de alta frecuencia, que incluye un oscilador maestro de cuarzo. Luego pasa al preamplificador de RF, y luego al amplificador de potencia de RF final, ubicado en el mismo módulo. Desde la salida del amplificador de potencia de RF final, la tensión de RF se suministra a la entrada de la unidad de “medición de RF”, también ubicada en el módulo amplificador de potencia de alta frecuencia, y desde su salida al conector de salida de la unidad. El módulo amplificador de potencia de alta frecuencia, cuando funciona con una carga resistiva nominal de 50 ohmios, proporciona un máximo de 600 W de potencia activa.

Además, el módulo amplificador de potencia de alta frecuencia tiene una unidad de protección térmica que apaga el voltaje de RF cuando los transistores de potencia de RF o los circuitos limitadores de protección se sobrecalientan debido al funcionamiento en modos (cargas) incomparables o cuando se opera a una temperatura ambiente de más +35°C. Las señales de voltaje de RF de salida, corriente de RF y potencia de RF activa del generador de RF, convertidas en tipo y nivel en la unidad de “medición de RF”, se envían para su posterior procesamiento al módulo de interfaz de control y señal y a la unidad de protección de RF. . La unidad de protección de RF calcula la potencia de RF de salida reactiva, la relación entre la potencia de RF activa y reactiva y genera señales para prohibir el funcionamiento del amplificador de potencia de RF final cuando se exceden los niveles especificados de voltaje de RF de amplitud de salida y corriente de RF, asegurando así su protección. El generador de RF tiene una indicación digital de 3,5 dígitos de salida y parámetros configurados: potencia, voltaje, corriente y su regulación desde el panel frontal de la unidad, así como una indicación LED de todos los modos de funcionamiento y, en consecuencia, su selección mediante botones. ubicado en el bloque del panel frontal. Estos elementos de indicación y control forman constructivamente un módulo de indicación y control. El generador de RF está equipado con una unidad de control del ventilador, que mantiene condiciones térmicas constantes del módulo convertidor y del módulo amplificador de potencia de alta frecuencia y aumenta la vida útil del ventilador. El generador de RF contiene módulos de fuente de alimentación de reserva y de servicio que generan respectivamente una tensión de reserva de ±5 V, que es necesaria para el funcionamiento del filtro de red y el módulo de interfaz de control y señal, y una tensión de servicio de +24 V, que es necesaria para alimentar el control del ventilador. unidad y el módulo amplificador de potencia de alta frecuencia.

​

La impedancia de salida del módulo amplificador de potencia de alta frecuencia se combina con la impedancia de carga mediante el dispositivo de adaptación automática "ASU-171S", capaz de funcionar tanto en modo de adaptación automática como en modo de control manual desde un panel de control manual.

​

Es posible desarrollar y fabricar un generador de alta frecuencia con diferentes características de salida según sus especificaciones técnicas.

DISPOSITIVO DE COINCIDENCIA AUTOMÁTICA “ASU-171S”

​

El dispositivo de adaptación automática "ASU-171S" es un "circuito CCL" en forma de T sintonizable mediante dos condensadores de RF de vacío variable, que le permite hacer coincidir la impedancia de carga con la impedancia de salida del generador de RF. El voltaje de RF RF proveniente del generador al conector "ENTRADA RF", pasando a través del medidor de "señal RF" instalado en el ACS, ingresa al "circuito CCL" correspondiente y, convertido en nivel, sale a la conexión coaxial de salida " SALIDA RF”. Después de pasar por el conjunto mezclador, también recibe un voltaje constante suministrado al conector de entrada “DC INPUT”, cuyo valor máximo no debe exceder los 1000 V, y su corriente no debe exceder los 2 A. Los condensadores variables tienen un accionamiento eléctrico controlado por un módulo de control e interfaz que, basándose en el algoritmo operativo integrado en él, recibe señales sobre los valores de amplitud de voltaje de RF, corriente de RF y potencia de RF activa del medidor de señal de RF. , genera comandos para el accionamiento eléctrico de tal manera que la impedancia de carga "reducida" a la entrada ACS se aproxima a 50 ohmios, y el valor doble de la relación entre la potencia de RF activa efectiva y la potencia de RF reactiva tiende a la unidad.

El módulo de control e interfaz, además de generar señales de control de potencia para el accionamiento eléctrico de condensadores de RF variables, proporciona amplificación y conversión de señales sobre las magnitudes de amplitud de voltaje de RF, corriente de RF y potencia de RF activa del medidor de señal de RF. Una vez procesados, envía las relaciones de amplitud de voltaje de RF a corriente de RF y potencia de RF activa efectiva a potencia de RF reactiva en forma analógica al conector "CONTROL" y en forma de código digital en serie al conector "RS-485". de la interfaz de control externo. Además, el módulo de control e interfaz proporciona conversión e interfaz de señales de control y modos ACS desde la interfaz RS-485 y el panel de control manual, así como la conversión del voltaje de suministro de red a voltajes constantes±24V para alimentar el accionamiento eléctrico de condensadores variables de alta frecuencia.

Algunas cookies son necesarias para inicios de sesión seguros, pero otras son opcionales para actividades funcionales. Nuestra recopilación de datos se utiliza para mejorar nuestros productos y servicios. Le recomendamos que acepte nuestras cookies para asegurarse de que está recibiendo el mejor rendimiento y funcionalidad que nuestro sitio puede ofrecer. Para obtener información adicional, puede ver el . Lea más sobre nuestro.

Las cookies que utilizamos se pueden clasificar de la siguiente manera:

Cookies estrictamente necesarias: son cookies que son obligatorias Para el funcionamiento de analog.com o funcionalidad específica ofrecida. Tienen el único propósito de realizar transmisiones de red o son estrictamente necesarios para proporcionar un servicio en línea solicitado explícitamente por usted. Cookies de análisis/rendimiento: estas cookies nos permiten realizar análisis web u otras formas de medición de audiencia, como reconocer y contar el número de visitantes y ver cómo los visitantes se mueven por nuestro sitio web. Esto nos ayuda a mejorar el funcionamiento del sitio web, por ejemplo, garantizando que los usuarios encuentren fácilmente lo que buscan. Cookies de funcionalidad: estas cookies se utilizan para reconocerlo cuando regresa a nuestro sitio web. Esto nos permite personalizar nuestro contenido para usted, saludarlo por su nombre y recordar sus preferencias (por ejemplo, su elección de idioma o región). La pérdida de información en estas cookies puede hacer que nuestros servicios sean menos funcionales, pero no impedirá que el sitio web funcione. Cookies de orientación/perfil: estas cookies registran su visita a nuestro sitio web y/o su uso de los servicios, las páginas que ha visitado y los enlaces que ha seguido. Utilizaremos esta información para hacer que el sitio web y la publicidad que se muestra en él sean más relevantes para sus intereses. También podemos compartir esta información con terceros para este propósito.

Continuamos la conversación sobre el receptor de transistores de amplificación directa, que comenzó en el séptimo taller. Luego, al conectar el receptor del detector a un amplificador de baja frecuencia de una sola etapa, los convirtió en un receptor 0-V-1. Luego monté un receptor réflex de un solo transistor y en el taller anterior le agregué un amplificador de baja frecuencia de dos etapas; el resultado fue un receptor 1-V-3. Ahora intente agregarle una etapa de preamplificador modulada de alta frecuencia (HF) para convertirlo en un receptor 2-V-3. La sensibilidad en este caso será suficiente para recibir en la antena magnética no solo estaciones de radiodifusión locales sino también distantes.

¿Qué se requiere para un amplificador de RF de una sola etapa? Básicamente, un transistor de baja potencia y alta frecuencia de cualquiera de las series P401...P403, P416, P422, GT308, siempre que esté en buen estado de funcionamiento, varios condensadores, una resistencia y un anillo de ferrita de grado 600NN con un diámetro exterior de 8...10 mm. El coeficiente h21E del transistor puede estar en el rango de 50...100. No debe utilizar un transistor con un gran coeficiente de transferencia de corriente estática; un amplificador experimentado será propenso a la autoexcitación.

Diagrama esquemático amplificador se muestra en la Fig. 56. El amplificador en sí está formado únicamente por un transistor. V1 y resistencias R1, R2. Resistor R2 actúa como una carga, y la resistencia base R1 Determina el modo de funcionamiento del transistor. La carga del colector del transistor puede ser un estrangulador de alta frecuencia, igual que en un receptor réflex.

Contorno personalizado l1 C1 y bobina de comunicación l2 consulte el circuito de entrada, condensador C2- dividiendo. Esta parte es una repetición exacta de la parte de entrada del receptor que ya probó. Condensador inmediatamente, resistencia R, diodo V2, Los telefonos B1 El condensador de bloqueo Sbl forma un circuito detector necesario para probar el amplificador.

¿Cómo funciona un amplificador así? Básicamente lo mismo que un amplificador de baja frecuencia de una sola etapa. Solo amplifica, no las oscilaciones de frecuencia de audio, como ese amplificador, sino las oscilaciones de alta frecuencia moduladas que le llegan desde la bobina de acoplamiento. l2. La señal de alta frecuencia, amplificada por el transistor, se asigna a la resistencia de carga. R2 (u otra carga de colector) y se puede alimentar a la entrada de una segunda etapa para una amplificación adicional o a un detector para convertirla en una señal de baja frecuencia.

Monte las piezas del amplificador en una placa temporal (cartón), como se muestra a la derecha en la Fig. 56. Muévete aquí y conecta las partes del circuito de entrada (L1C1) y la bobina de comunicación (L2) del receptor al amplificador. No olvide incluir un condensador de aislamiento en el circuito de la bobina de acoplamiento. C2. Conecte el voltaje de la batería 9V y, eligiendo una resistencia base R1, instalar corriente del colector transistor dentro de 0,8...1,2 mA. No lo olvide: la resistencia de la resistencia base debe ser mayor cuanto mayor sea el coeficiente de transferencia de corriente estática del transistor (el valor de esta resistencia indicado en el diagrama corresponde al coeficiente h21E transistor alrededor de 50).

Ahora monte un circuito detector en un cartón pequeño separado, conectando en serie los teléfonos B1 con un condensador de bloqueo Sbl con una capacidad de 2200..3300 pF, un diodo puntual V2 cualquier serie y condensador nyu separador inmediatamente con una capacidad de 3300...6800 pF, resistencia de resistencia R tal vez 4,7...6,8 kOhmios. Conecta este circuito entre el colector y emisor del transistor, es decir, a la salida del amplificador, y conecta una antena exterior o interior y, por supuesto, puesta a tierra al circuito de entrada L1C1. Al sintonizar el circuito de entrada con la onda de una estación de radio local, el transistor amplificará su señal de alta frecuencia. VI, detectado por diodo V2 y convertido por teléfonos EN 1 en sonido. Resistor R en este circuito es necesario para el funcionamiento normal del detector. Sin él, los teléfonos sonarán más silenciosos y distorsionados.

Para el próximo experimento con un amplificador de RF, se necesita un transformador reductor de alta frecuencia (Fig. 57). Enróllelo en un anillo de ferrita de grado 600NN (el mismo que el núcleo del estrangulador de alta frecuencia de la etapa refleja del receptor). Su devanado primario l3 debe contener 180..200 vueltas de cable PEV o PEL 0.1...0.12, y el secundario L 4 60...80 vueltas del mismo cable.

Conecte el devanado L3 del transformador de alta frecuencia al circuito colector del transistor en lugar de a la resistencia de carga, y a su devanado. l4 Conecte el mismo circuito detector que en el experimento anterior, pero sin el condensador de acoplamiento ni la resistencia, que ahora no son necesarios. ¿Cómo suena ahora? ¿Los telefonos? Más fuerte. Esto se explica por una mejor adaptación de la impedancia de salida del amplificador y la impedancia de entrada del objetivo del detector que en el primer experimento.

Y ahora, usando el diagrama que se muestra en la Fig. 58, conecte este amplificador de una etapa a la entrada del transistor receptor réflex 1-V-3. El amplificador del receptor de RF pasó a ser de dos etapas. El elemento de conexión entre las cascadas fue la bobina. l4 transformador de alta frecuencia incluido en el circuito base del transistor V 2 (en el receptor 1-V-Z se utilizó el transistor W1) en lugar de la bobina de comunicación (había l2) con el antiguo circuito configurable de entrada. Ahora no se necesitan antena externa ni conexión a tierra: la recepción se realiza mediante la antena magnética W1. cuya función: la realiza una varilla de ferrita con una bobina ubicada en ella l1 circuito configurable de entrada l1 C1.

Entonces, junto con un amplificador de baja frecuencia de dos etapas, se entrenó un receptor de amplificación directa de cuatro transistores 2-U-W. El receptor puede estar autoexcitado. Esto se debe a que, en primer lugar, es reflexivo y los receptores reflexivos generalmente son propensos a la autoexcitación y, en segundo lugar, son conductores que conectan lo experimentado. etapa amplificadora con cascada de reflejos, larga. Si la nueva etapa, junto con la antena magnética, se monta de forma compacta en la misma placa del receptor, haciendo que los circuitos sean lo más cortos posible, habrá menos motivos de autoexcitación. Esto también se ve facilitado por la célula filtrante desacoplada. R2 C3 en el circuito de potencia negativo del primer transistor del amplificador de RF, lo que elimina la conexión entre las etapas a través de una fuente de litio común y así evita la autoexcitación de la ruta de alta frecuencia del receptor.

Pero la segunda etapa del amplificador de RF puede ser la misma que la primera, es decir, no reflexiva, y la conexión entre ellas puede no ser un transformador. opción posible amplificador se muestra en la Fig. 59. Aquí la carga del transistor. V1 la primera etapa, como en el primer experimento de este taller (ver Fig. 56), es la resistencia R2; El voltaje de la señal de alta frecuencia creado a través de él a través de un capacitor. noroeste suministrado a la base del transistor V2 la segunda cascada, exactamente igual que la primera. La señal, además amplificada por el transistor de la segunda etapa, se retira de su resistencia de carga. R4 ( lo mismo; como r 2) y a través del condensador C 4 (como NOROESTE) va al detector en el diodo V 3, es detectado por él, y las oscilaciones de baja frecuencia creadas a través de su resistencia de carga R5, se alimentan a la entrada del amplificador de bajo.

En esta versión, la segunda cascada y el detector son como una cascada refleja desplegada de la versión anterior. Pero el transistor sólo amplifica las oscilaciones de alta frecuencia. Y si lo conectas a un amplificador de baja frecuencia de dos etapas, obtienes un receptor de amplificación directa. 2- V-2. La amplificación de la señal de baja frecuencia disminuirá un poco, los teléfonos o el altavoz a la salida de dicho receptor sonarán un poco más silenciosos, pero se reducirá el peligro de autoexcitación de su trayectoria de alta frecuencia. Esta pérdida se puede compensar parcialmente aumentando el voltaje de la señal de baja frecuencia en la salida del detector incluyendo un segundo diodo en la cascada del detector (que se muestra con líneas discontinuas en la Fig. 59). V4), como lo hizo en uno de los experimentos en el séptimo taller (ver Fig. 50), o use un transistor en la cascada de detectores.

Intente experimentar con opciones de amplificadores de baja frecuencia, compare la calidad de su trabajo y saque conclusiones adecuadas para el futuro.

Un consejo más. Cuando experimente con una u otra versión del receptor, dibuje y recuerde su diagrama de circuito completo. ¿Para qué? Un radioaficionado, incluso un principiante, debe dibujar diagramas de dichos dispositivos de memoria. El diagrama del circuito también le ayudará a comprender mejor el funcionamiento del receptor en su conjunto y sus partes, y facilitará la búsqueda de fallos en el mismo.

Literatura: Borisov V.G. Taller para radioaficionados principiantes, 2ª ed., revisada. y adicional - M.: DOSAAF, 1984. 144 p., enfermo. 55k.

Consumo de corriente - 46 mA. El voltaje de polarización V bjas determina el nivel de potencia de salida (ganancia) del amplificador.

Figura 33.11. Estructura interna y distribución de pines de los microcircuitos TSH690, TSH691.

Arroz. 33.12. Inclusión típica de microcircuitos TSH690, TSH691 como amplificador en la banda de frecuencia 300-7000 MHz

y se puede ajustar dentro de 0-5,5 (6,0) V. El coeficiente de transmisión del microcircuito TSH690 (TSH691) con un voltaje de polarización V polarización = 2,7 V y una resistencia de carga de 50 ohmios en una banda de frecuencia de hasta 450 MHz es 23 ( 43) dB, hasta 900(950) MHz - 17(23) dB.

La inclusión práctica de los microcircuitos TSH690, TSH691 se muestra en la Fig. 33.12. Valores de elementos recomendados: C1=C5=100-1000 pF; C2=C4=1000 pF; C3=0,01 µF; L1 150 nH; L2 56 nH para frecuencias no superiores a 450 MHz y 10 nH para frecuencias hasta 900 MHz. La resistencia R1 se puede utilizar para regular el nivel de potencia de salida (se puede utilizar para un sistema ajuste automático potencia de salida).

El banda ancha INA50311 (Fig. 33.13), fabricado por Hewlett Packard, está diseñado para su uso en equipos de comunicaciones móviles, así como en equipos electrónicos domésticos, por ejemplo, como amplificador de antena o amplificador de radiofrecuencia. El rango operativo del amplificador es 50-2500 MHz. Tensión de alimentación: 5 V con consumo de corriente de hasta 17 mA. Ganancia promedio

Arroz. 33.13. estructura interna microcircuitos ΙΝΑ50311

10 dB. La potencia máxima de señal suministrada a la entrada a una frecuencia de 900 MHz no es más de 10 mW. Figura de ruido 3,4 dB.

En la figura se muestra una conexión típica del microcircuito ΙΝΑ50311 cuando se alimenta con un estabilizador de voltaje 78LO05. 33.14.

Arroz. 33.14. amplificador de banda ancha en el chip INA50311

Shustov M. A., Circuitos. 500 dispositivos en chips analógicos. - San Petersburgo: Ciencia y Tecnología, 2013. -352 p.

Los amplificadores de alta frecuencia (UHF) se utilizan para aumentar la sensibilidad de los equipos receptores de radio: radios, televisores y transmisores de radio. Colocados entre la antena receptora y la entrada del receptor de radio o televisión, estos circuitos UHF aumentan la señal procedente de la antena (amplificadores de antena).

El uso de dichos amplificadores permite aumentar el radio de recepción de radio confiable; en el caso de estaciones de radio (dispositivos de recepción y transmisión - transceptores), aumentar el rango de operación o, manteniendo el mismo rango, reducir la potencia de radiación de el radiotransmisor.

La Figura 1 muestra ejemplos de circuitos UHF que se utilizan a menudo para aumentar la sensibilidad de la radio. Los valores de los elementos utilizados dependen de condiciones específicas: de las frecuencias (inferior y superior) del rango de radio, de la antena, de los parámetros de la etapa posterior, de la tensión de alimentación, etc.

La figura 1 (a) muestra circuito UHF de banda ancha según el circuito emisor común(EO). Dependiendo del transistor utilizado, este circuito se puede aplicar con éxito hasta frecuencias de cientos de megahercios.

Es necesario recordar que los datos de referencia para transistores proporcionan parámetros de frecuencia máxima. Se sabe que al evaluar las capacidades de frecuencia de un transistor para un generador, basta con centrarse en el valor límite de la frecuencia de funcionamiento, que debe ser al menos dos o tres veces menor que la frecuencia límite especificada en el pasaporte. Sin embargo, para un amplificador de RF conectado según el circuito OE, la frecuencia máxima de la placa de identificación debe reducirse al menos en un orden de magnitud o más.

Figura 1. Ejemplos de circuitos amplificadores simples Transistores de alta frecuencia (UHF).

Elementos de radio para el circuito de la Fig. 1 (a):

• R1=51k (para transistores de silicio), R2=470, R3=100, R4=30-100;
• C1=10-20, C2= 10-50, C3= 10-20, C4=500-Zn;

Los valores de los condensadores se dan para frecuencias VHF. Condensadores como KLS, KM, KD, etc.

Como se sabe, las etapas de transistores conectadas en un circuito de emisor común (CE) proporcionan una ganancia relativamente alta, pero sus propiedades de frecuencia son relativamente bajas.

Las etapas de transistores conectadas según un circuito de base común (CB) tienen menos ganancia que los circuitos de transistores con OE, pero sus propiedades de frecuencia son mejores. Esto permite utilizar los mismos transistores que en los circuitos OE, pero a frecuencias más altas.

La figura 1 (b) muestra Circuito amplificador de alta frecuencia de banda ancha (UHF) en un transistor encendido según un esquema base común. El circuito LC está incluido en el circuito colector (carga). Dependiendo del transistor utilizado, este circuito se puede aplicar con éxito hasta frecuencias de cientos de megahercios.

Elementos de radio para el circuito de la Fig. 1 (b):

• R1=1k, R2=10k. R3=15k, R4=51 (para tensión de alimentación ZV-5V). R4=500-3 k (para tensión de alimentación 6V-15V);
• C1=10-20, C2=10-20, C3=1n, C4=1n-3n;
• T1: transistores RF de silicio o germanio, por ejemplo. KT315. KT3102, KT368, KT325, GT311, etc.

Los valores de condensadores y circuitos se dan para frecuencias VHF. Condensadores como KLS, KM, KD, etc.

La bobina L1 contiene 6-8 vueltas de cable PEV 0,51, núcleos de latón de 8 mm de largo con rosca M3, 1/3 de las vueltas están drenadas.

La figura 1 (c) muestra otro circuito de banda ancha. UHF en un transistor, incluido según un esquema base común. Se incluye un inductor de RF en el circuito colector. Dependiendo del transistor utilizado, este circuito se puede aplicar con éxito hasta frecuencias de cientos de megahercios.

Radioelementos:

• R1=1k, R2=33k, R3=20k, R4=2k (para tensión de alimentación 6V);
• C1=1n, C2=1n, C3=10n, C4=10n-33n;
• T1: transistores RF de silicio o germanio, por ejemplo, KT315, KT3102, KT368, KT325, GT311, etc.

Los valores de los condensadores y del circuito se dan para frecuencias de los rangos MF y HF. Para frecuencias más altas, por ejemplo, para el rango VHF, se deben reducir los valores de capacitancia. En este caso se pueden utilizar choques D01.

Condensadores como KLS, KM, KD, etc.

Las bobinas L1 son bobinas de choque, para la gama CB pueden ser bobinas sobre anillos 600NN-8-K7x4x2, 300 vueltas de cable PEL 0,1.

Mayor valor de ganancia se puede obtener usando circuitos multitransistor. Pueden ser varios circuitos, por ejemplo, fabricados sobre la base de un amplificador cascode OK-OB utilizando transistores de diferentes estructuras con fuente de alimentación en serie. Una de las variantes de dicho esquema UHF se muestra en la Fig. 1 (d).

Este circuito UHF tiene una ganancia significativa (decenas o incluso cientos de veces), pero los amplificadores cascodo no pueden proporcionar una ganancia significativa en altas frecuencias. Estos esquemas se suelen utilizar en frecuencias en los rangos LW y SV. Sin embargo, cuando se utilizan transistores Frecuencia ultra alta y una ejecución cuidadosa, estos circuitos se pueden aplicar con éxito hasta frecuencias de decenas de megahercios.

Radioelementos:

• R1=33k, R2=33k, R3=39k, R4=1k, R5=91, R6=2,2k;
• C1=10n, C2=100, C3=10n, C4=10n-33n. C5=10n;
• T1-GT311, KT315, KT3102, KT368, KT325, etc.
• T2-GT313, KT361, KT3107, etc.

Los valores del condensador y del circuito se dan para frecuencias en el rango CB. Para frecuencias más altas, como la banda HF, los valores de capacitancia y la inductancia del bucle (número de vueltas) deben reducirse en consecuencia.

Condensadores como KLS, KM, KD, etc. Bobina L1: para la gama CB contiene 150 vueltas de cable PELSHO 0,1 en marcos de 7 mm, recortadores M600NN-3-SS2.8x12.

Al configurar el circuito en la Fig. 1 (d), es necesario seleccionar las resistencias R1, R3 de modo que los voltajes entre los emisores y los colectores de los transistores sean iguales y asciendan a 3 V con un voltaje de suministro del circuito de 9 V.

El uso de transistores UHF permite amplificar señales de radio. procedente de antenas, en bandas de televisión - ondas métricas y decimétricas. En este caso, los circuitos amplificadores de antena construidos sobre la base del circuito 1(a) son los más utilizados.

Ejemplo de circuito amplificador de antena para rango de frecuencia 150-210 MHz se muestra en la Fig. 2 (a).

Fig.2.2. Circuito amplificador de antena MT.

Radioelementos:

• R1=47k, R2=470, R3= 110, R4=47k, R5=470, R6= 110. R7=47k, R8=470, R9=110, R10=75;
• C1=15, C2=1n, C3=15, C4=22, C5=15, C6=22, C7=15, C8=22;
• T1, T2, TZ - 1T311(D,L), GT311D, GT341 o similar.

Condensadores como KM, KD, etc. La banda de frecuencia de este amplificador de antena se puede ampliar en la zona de baja frecuencia mediante el correspondiente aumento de las capacidades incluidas en el circuito.

Elementos de radio para la opción de amplificador de antena para el rango 50-210 MHz:

• R1=47k, R2=470, R3= 110, R4=47k, R5=470, R6= 110. R7=47k, R8=470. R9=110, R10=75;
• C1=47, C2= 1n, C3=47, C4=68, C5=47, C6=68, C7=47, C8=68;
• T1, T2, TZ - GT311A, GT341 o similares.

Condensadores como KM, KD, etc. Al repetir este dispositivo, se deben cumplir todos los requisitos. Requisitos para la instalación de estructuras HF: longitudes mínimas de conductores de conexión, blindaje, etc.

Un amplificador de antena diseñado para usarse en el rango de señal de televisión (y frecuencias más altas) puede sobrecargarse con señales de potentes estaciones de radio CB, HF y VHF. Por lo tanto, una banda de frecuencia amplia puede no ser óptima porque esto puede interferir con el funcionamiento normal del amplificador. Esto es especialmente cierto en la región inferior del rango operativo del amplificador.

Para el circuito del amplificador de antena dado, esto puede ser significativo, porque La pendiente de la caída de ganancia en la parte inferior del rango es relativamente baja.

Puede aumentar la inclinación de la respuesta de frecuencia de amplitud (AFC) de este amplificador de antena utilizando Filtro de paso alto de tercer orden. Para ello, se puede utilizar un circuito LC adicional en la entrada del amplificador especificado.

El diagrama de conexión de un filtro de paso alto LC adicional al amplificador de antena se muestra en la Fig. 2(b).

Parámetros de filtro adicionales (indicativos):

• C=5-10;
• L - 3-5 vueltas PEV-2 0,6. diámetro de bobinado 4 mm.

Es aconsejable ajustar la banda de frecuencia y la forma de respuesta de frecuencia utilizando instrumentos de medición(generador de frecuencia oscilante, etc.). La forma de la respuesta de frecuencia se puede ajustar cambiando los valores de los condensadores C, C1, cambiando el tono entre las vueltas L1 y el número de vueltas.

Utilizando las soluciones de circuitos descritas y los modernos transistores de alta frecuencia (transistores de frecuencia ultraalta - transistores de microondas), se puede construir un amplificador de antena para el rango UHF. Este amplificador se puede utilizar con un receptor de radio UHF, por ejemplo, parte de una emisora ​​de radio VHF o junto con un televisor.

La figura 3 muestra Circuito amplificador de antena UHF.

Fig. 3. Circuito amplificador de antena UHF y diagrama de conexión.

Parámetros principales del amplificador de rango UHF:

• Banda de frecuencia 470-790 MHz,
• Ganancia - 30 dB,
• Figura de ruido -3 dB,
• Impedancia de entrada y salida: 75 ohmios,
• Consumo de corriente - 12 mA.

Una de las características de este circuito es el suministro de voltaje al circuito amplificador de antena a través del cable de salida, a través del cual se suministra la señal de salida desde el amplificador de antena al receptor de señal de radio: un receptor de radio VHF, por ejemplo, un VHF. receptor de radio o TV.

El amplificador de antena consta de dos etapas de transistores conectadas en un circuito con un emisor común. En la entrada del amplificador de antena se proporciona un filtro de paso alto de tercer orden, que limita el rango de frecuencias operativas desde abajo. Esto aumenta la inmunidad al ruido del amplificador de antena.

Radioelementos:

• R1 = 150k, R2=1k, R3=75k, R4=680;
• C1=3,3, C10=10, C3=100, C4=6800, C5=100;
• T1, T2 - KT3101A-2, KT3115A-2, KT3132A-2.
• Los condensadores C1, C2 son del tipo KD-1, el resto son KM-5 o K10-17v.
• L1 - PEV-2 0,8 mm, 2,5 vueltas, diámetro de bobinado 4 mm.
• L2 - Estrangulador de RF, 25 µH.

La Figura 3 (b) muestra un diagrama de conexión del amplificador de antena a la toma de antena del receptor de TV (al selector UHF) y a una fuente de alimentación remota de 12 V. En este caso, como se puede ver en el diagrama, la energía es suministrado al circuito a través del cable coaxial utilizado y para transmitir una señal de radio UHF amplificada desde un amplificador de antena a un receptor: una radio VHF o un televisor.

Elementos de conexión radioeléctrica, Fig. 3 (b):

• C5=100;
• L3 - Estrangulador de RF, 100 µH.

La instalación se realiza sobre fibra de vidrio de doble cara SF-2 de forma articulada, la longitud de los conductores y el área de las almohadillas de contacto son mínimas, es necesario asegurar un blindaje cuidadoso del dispositivo.

La configuración del amplificador se reduce a configurar las corrientes del colector de los transistores y se regulan mediante R1 y RЗ, T1 - 3,5 mA, T2 - 8 mA; La forma de la respuesta de frecuencia se puede ajustar seleccionando C2 entre 3 y 10 pF y cambiando el tono entre vueltas de L1.

Literatura: Rudomedov E.A., Rudometov V.E - Pasiones por la electrónica y el espionaje-3.