El período reticular de la mayoría de los metales es. período de celosía

Para la red cúbica monoatómica ideal más simple, esto es simplemente la distancia entre los átomos vecinos. En el caso general, esta es la distancia más pequeña, cuando se desplaza, la red reproduce exactamente su apariencia original, es decir, en cada uno de sus nodos hay los mismos átomos que antes del desplazamiento.

Fundación Wikimedia. 2010.

Vea qué es el "período de la red cristalina" en otros diccionarios:

Longitud de un borde de una celda unitaria de una red cristalina. Para la red cúbica monoatómica ideal más simple, esto es simplemente la distancia entre los átomos vecinos. En general, esta es la distancia más pequeña por la cual la red se desplaza exactamente... ... Wikipedia

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2,8 ¸ 6 Å.

91. La diferencia entre las temperaturas de fusión y cristalización de los metales se llamatemperaturas críticas.

92. Operaciones básicas de tratamiento térmico: templado, normalización,recocidoY

endurecimiento.

93. Las vacaciones pueden ser altas,promedioY corto .

94. Troostita de vacaciones – mezcla finamente dispersaferritoY cementita.

Fósforo.

95. Metal: Grupo condicional:

1. magnesio; Un noble;

2. vanadio; B. pesado;

3. níquel; V. raro;

4. platino; G. luz;

1B; 2EN; 3GRAMO; 4A.

para su fabricación:

1. casquillo del árbol de levas; A. 60SHFA;

2. resorte de suspensión; B. SCH10;

3. caja de engranajes; V. Br.O4P4S17;

4. losa de cimentación; G. KCh30-6;

1EN; 2A; 3GRAMO; 4B.

97. Impureza en el acero: Efecto de la impureza en las propiedades del acero:

1. el fósforo A. aumenta la fragilidad cuando

2. azufre temperaturas bajas

3. B. el manganeso desoxida las impurezas nocivas

4. El silicio B. provoca fragilidad roja.

G. aumenta la fuerza

1 A; 2EN; 3GRAMO; 4B.

98. Componente estructural de la red cristalina:

aceros hierro-carbono:

1. ferrita; A. rómbico complejo con

empaquetamiento denso de átomos;

2. austenita; B. fcc, átomos de carbono dispuestos

en el centro de las caras del cubo;

3. cementita; B. BCC, átomo de carbono en el centro.

1.EN; 2B; 3A.

99. Relaciona las temperaturas con las líneas de transformación del diagrama de Fe 3 C:

1. 1499°C; A. línea de transformación eutéctica;

2. 1147°C; B. línea de transformación eutectoide;

3. 727°C. V. línea de transformación peretética.

1EN; 2A; 3B.

Título Posibles contenidos

estructura: carbono, %:

1. austenita; R. 0,8 ... 2,14;

2. ledeburita; B. 6,67;

3. perlita; V.4.3;

4. cementita; G. 0,8;

1- A; 2 -EN; 3 - GRAMO ;4- B.

101. Punto crítico del diagrama Fe-C Temperatura, °C:

para hierro puro:

3. A 3 V. 1401

1- GRAMO ; 2- EN; 3-B; 4-A

Instalar secuencia correcta:

102. El endurecimiento del acero U8 se realiza en la siguiente secuencia:

1. calentado a una temperatura de 760 °C;

2. enfriar en agua;

3. enfriar al aire;

4. mantenido en un horno a una temperatura de 760 °C. 1-4-2-3.

103. Secuencia de etapas al carburar piezas en un carburador sólido:

1. colocar la caja en el horno y mantenerla durante un tiempo determinado;

2. limpiar la pieza de la contaminación;

3. llenar el carburador en la caja;

4. aislamiento de superficies que no están sujetas a cementación;

5. cerrar la caja con tapa, recubriendo los bordes con arcilla ignífuga;

6. enfriar la caja y retirar la pieza;

7. colocar la pieza en una caja;

8. premecanizado 8-2-4-7-3-5-1-6

104. Una modificación polimórfica que es estable a temperaturas más bajas se denota por:

1. γ; 2. α; 3.δ; 4. β. 2-4-1-3

105. Indique las estructuras en orden descendente de su dureza:

1. ferrita; 3. sorbitol;

106. Secuencia de operaciones al nitrurar piezas:

1. procesamiento mecánico para obtener el tamaño final;

2. nitruración;

3. protección de las zonas sujetas a nitruración;

Determinación de los parámetros de una celda de cristal unitaria en forma de paralelepípedo con parámetros de longitud de borde. a, b, C y con ángulos entre los bordes α, β, γ

Constante de celosía, o, lo que es lo mismo, el parámetro de la red es el tamaño de la celda elemental del cristal. En el caso general, una celda unitaria es un paralelepípedo con diferentes longitudes de aristas; normalmente estas longitudes se denotan como a, b, C . Pero en algunos casos especiales de la estructura cristalina, las longitudes de estos bordes coinciden. Si, además, las aristas que emergen de un vértice son iguales y mutuamente perpendiculares, entonces dicha estructura se llama cúbica. Una estructura con dos aristas iguales formando un ángulo de 120 grados y una tercera arista perpendicular a ellas se llama hexagonal.

En términos generales, los parámetros de una celda unitaria se describen mediante 6 números: 3 longitudes de aristas y 3 ángulos entre aristas pertenecientes a un mismo vértice del paralelepípedo.

Por ejemplo, la celda unitaria del diamante es cúbica y tiene un parámetro de red 0,357 nanómetro a una temperatura de 300 K.

En la literatura no se suelen dar los seis parámetros de la red, sólo la longitud media de los bordes de las celdas y el tipo de red.

Volumen de celda unitaria

El volumen de una celda unitaria se puede calcular conociendo sus parámetros (longitudes y ángulos del paralelepípedo). Si tres bordes adyacentes de una celda se representan como vectores, entonces el volumen de la celda V igual (hasta el signo) al triple producto escalar de estos vectores (es decir, el producto escalar de uno de los vectores y el producto vectorial de los otros dos). En general

Para redes monoclínicas α = γ = 90°, y la fórmula se simplifica a

Para redes ortorrómbicas, tetragonales y cúbicas, el ángulo β también es de 90°, por lo que

Heteroestructuras de semiconductores en capas.

La constancia de los parámetros reticulares de materiales diferentes permite obtener sándwiches en capas de diferentes semiconductores con un espesor de capa de varios nanómetros. Este método produce una banda prohibida ancha en la capa interna del semiconductor y se utiliza en la producción de LED de alta eficiencia y láseres semiconductores.

Coincidencia de parámetros de celosía

Los parámetros de la red son importantes en el crecimiento epitaxial de finas capas monocristalinas de otro material sobre la superficie de otro monocristal: un sustrato. Con una diferencia significativa en los parámetros reticulares de los materiales, es difícil obtener monocristalinidad y un crecimiento de la capa sin dislocaciones. Por ejemplo, en la tecnología de semiconductores para el crecimiento de capas epitaxiales de silicio monocristalino, se suele utilizar zafiro (monocristal de óxido de aluminio) como heterosustrato, ya que ambos tienen constantes de red casi iguales, pero con diferentes tipos singonía, para silicio - tipo diamante cúbico, para zafiro - trigonal.

Normalmente, los parámetros reticulares del sustrato y de la capa que se está formando se eligen de manera que garanticen un mínimo de tensión en la capa de película.

Otra forma de igualar los parámetros de la red es el método de formar una capa de transición entre la película y el sustrato, en la que el parámetro de la red cambia suavemente (por ejemplo, a través de una capa de solución sólida con reemplazo gradual de los átomos de la sustancia del sustrato por átomos de la película desarrollada, de modo que el parámetro de red de la capa de solución sólida en la propia película coincida con este parámetro de la película).

Por ejemplo, una capa de fosfuro de indio y galio con una banda prohibida 1,9 eV se puede cultivar en una oblea de arseniuro de galio utilizando el método de capas intermedias.

ver también

Notas

1. RV Lapshin (1998). “Calibración lateral automática de escáneres de microscopios de túneles” (PDF). Revisión de instrumentos científicos.. Estados Unidos: AIP. 69 (9): 3268–3276.

1. Realizar mediciones y cálculos de rayos X de acuerdo con los párrafos (1-10) de la sección 3.1.

2. Encuentre los valores para cada línea de la radiografía e ingrese estos valores en la Tabla 2.6 en la columna 3.

Tabla 2.6

Cálculo de períodos de red.

3. Encuentra una serie de relaciones. e ingrese los valores en la columna 4.

4. Comparando la serie de números resultante con una serie similar dada en la Tabla 2.4, determine el tipo de red cristalina cuyo período debe determinarse.

5. Para el tipo establecido de red cristalina, utilice la Tabla 2.3 para determinar los índices de interferencia.

6. Usando varias (3-5) líneas de patrones de difracción de rayos X (con ángulos grandes si es posible), determine el período de la red cristalina usando la expresión (3).

7. Construya una gráfica y extrapola el valor a .

8. Verifique la exactitud de la determinación del tipo de red cristalina calculando el número de átomos por ella usando la fórmula

¿Dónde está el peso atómico de la sustancia en estudio? - volumen de celda unitaria; - densidad de la sustancia problema; g – masa de 1/16 de la masa de un átomo de oxígeno.

Tabla 2.7

Distancias interplanares

Continuación de la Tabla 2.7

Equipos, dispositivos, materiales.

1. Fotografías de rayos X de metales puros policristalinos.

2. Películas de rayos X, reglas.

3. Tablas de cálculo.

1. Determine la sustancia basándose en los datos de distancias interplanares obtenidos calculando el patrón de difracción de rayos X.

2. Determinar el período de la red cristalina del metal identificado (realizado según las indicaciones del profesor).

Registro de resultados

Informe presentado al momento de la entrega trabajo de laboratorio, debe contener:

a) el propósito del trabajo;

b) un esquema para la formación de un patrón de difracción de rayos X de policristales en una cámara de Debye;

c) resultados experimentales, resumidos en las tablas 2.5 y 2.6.

7. Preguntas de seguridad

1. Errores que surgen en la determinación del período reticular y distancias interplanares y métodos para eliminarlos.

2. Métodos de carga de película en una cámara Debye, sus ventajas y desventajas.

Literatura

1. Soloviev S.P., Khmelevskaya V.S. Fundamentos físicos y técnicos de la ciencia de los materiales. - Óbninsk. COMÍ. 1990. 100 págs.

2. Gorelik S.S., Rastorguev L.N., Skakov Yu.A. Análisis de rayos X y difracción de electrones. – M.: Metalurgia. 1970. 368 pág.

TRABAJO N° 3

CONSTRUCCIÓN DE DIAGRAMAS DE ESTADO MEDIANTE MÉTODO DE ANÁLISIS TÉRMICO

objetivo del trabajo

Familiarícese con el método de análisis térmico y construya experimentalmente un diagrama de fases.